သံမဏိပြားမီးဖြတ်ခြင်း နှင့် ဂဟေဆော်ပြီးနောက် အအေးမိခြင်း နှင့် ကြွပ်ဆတ်ကွဲအက်ခြင်းတို့သည် ယေဘူယျအားဖြင့် တူညီသော ပေါ်ထွန်းခြင်း နှစ်ခုလုံးသည် ပန်းကန်ပြား၏ အလယ်တွင် အက်ကြောင်းများဖြစ်သည်။ အသုံးပြုမှု ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် delaminated steel plate ကို ဖယ်ရှားရပါမည်။ delamination တစ်ခုလုံးကို တစ်ခုလုံးကို ဖယ်ရှားသင့်ပြီး local delamination ကို ဒေသအလိုက် ဖယ်ရှားနိုင်ပါသည်။ စတီးပြား၏ အေးမြသော ကြွပ်ဆတ်အက်ကွဲမှုသည် အလယ်တွင် ကွဲအက်ကြောင်း ထင်ရှားပြီး အချို့က “အက်ကွဲခြင်း” ဟုခေါ်သည်။ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ အဆင်ပြေစေရန်အတွက် ၎င်းအား "အအေးဒဏ်ကြောင့် ကွဲအက်ခြင်း" ဟု သတ်မှတ်ရန် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်ကို ဖယ်ရှားခြင်းမရှိဘဲ သင့်လျော်သော ဂဟေနည်းပညာဖြင့် ကုသနိုင်ပါသည်။

1. သံမဏိပြား delamination
Delamination သည် သံမဏိပြား (ဘီလီ) ၏ ဖြတ်ပိုင်းအပိုင်းရှိ ကွာဟချက်ဖြစ်ပြီး စတီးပြား၏ အပိုင်းကို ဒေသအလွှာအဖြစ် ဖန်တီးပေးသည်။ ၎င်းသည် သံမဏိတွင် ဆိုးရွားသော ချို့ယွင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သံမဏိပြားအား ပုံ 1 တွင်ကြည့်ပါ၊ ကွဲထွက်ခြင်းမရှိရပါ။ သံမဏိ၏အတွင်းပိုင်းချို့ယွင်းချက်ဖြစ်သည့် interlayer နှင့် delamination ဟုခေါ်သည်။ သံမဏိမဟုတ်သော ကြီးမားသောပါဝင်မှုများ၊ လုံးဝဖယ်ရှားခြင်း သို့မဟုတ် ခေါက်ခြင်းမပြုနိုင်သော အကြွင်းအကျန်များ ကျုံ့သွားခြင်းနှင့် ပြင်းထန်စွာ ခွဲထုတ်ခြင်းသည် သံမဏိ၏ အချိုးကျခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ကျိုးကြောင်းဆီလျော်မှုမရှိသော လှိမ့်သွင်းမှု လျော့ချခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် stratification ကို ပိုမိုဆိုးရွားစေနိုင်ပါသည်။

2. သံမဏိပြား stratification အမျိုးအစားများ
အကြောင်းရင်းပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားသောနေရာများနှင့် ပုံစံများတွင် သူ့ကိုယ်သူဖော်ပြသည်။ အချို့သော သံမဏိအတွင်း၌ ဝှက်ထားပြီး အတွင်းမျက်နှာပြင်သည် အပြိုင် သို့မဟုတ် သံမဏိမျက်နှာပြင်နှင့် သိသိသာသာ အပြိုင်ဖြစ်နေသည်။ အချို့သည် သံမဏိမျက်နှာပြင်အထိ ချဲ့ထွင်ပြီး သံမဏိမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ groove ကဲ့သို့ မျက်နှာပြင် ချို့ယွင်းချက်များ ဖြစ်ပေါ်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် ပုံစံနှစ်မျိုးရှိသည်။
ပထမအချက်မှာ open stratification ဖြစ်သည်။ ဤ stratification ချို့ယွင်းချက်ကို သံမဏိ၏အရိုးကျိုးခြင်းတွင် macroscopically တွေ့ရှိနိုင်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် သံမဏိစက်ရုံများနှင့် ကုန်ထုတ်စက်ရုံများတွင် ပြန်လည်စစ်ဆေးနိုင်ပါသည်။
ဒုတိယမှာ အပိတ် stratification ဖြစ်သည်။ ဤ stratification ချို့ယွင်းချက်ကို သံမဏိအရိုးကျိုးခြင်းတွင် မမြင်နိုင်သည့်အပြင် သံမဏိပြားတစ်ခုစီ၏ 100% ultrasonic ချို့ယွင်းချက်ကို ထောက်လှမ်းခြင်းမရှိဘဲ ၎င်းကို ထုတ်လုပ်သည့်စက်ရုံတွင် ရှာတွေ့ရန် ခက်ခဲသည်။ ၎င်းသည် သံမဏိပြားအတွင်း၌ ပိတ်ထားသော stratification ဖြစ်သည်။ ဤ stratification ချို့ယွင်းချက်ကို အရည်ဖျော်စက်မှ ထုတ်လုပ်သည့် စက်ရုံသို့ ယူဆောင်လာပြီး နောက်ဆုံးတွင် တင်ပို့ရန်အတွက် ထုတ်ကုန်တစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။
delamination ချို့ယွင်းချက်များ ရှိနေခြင်းသည် ဝန်ကိုထမ်းရန် delamination ဧရိယာရှိ သံမဏိပြား၏ ထိရောက်သောအထူကို လျော့နည်းစေပြီး delamination ကဲ့သို့တူညီသော ဦးတည်ချက်တွင် ဝန်ထမ်းစွမ်းရည်ကို လျော့နည်းစေသည်။ delamination ချို့ယွင်းချက်၏ အစွန်းပုံသဏ္ဍာန်သည် ပြတ်သားပြီး ၎င်းသည် ဖိစီးမှုကို အလွန်ထိခိုက်လွယ်ပြီး ပြင်းထန်သောဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ဖြစ်စေသည်။ လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ထပ်ခါတလဲလဲ တင်ခြင်း၊ ဖြုတ်ချခြင်း၊ အပူပေးခြင်း နှင့် အအေးပေးခြင်း ရှိပါက၊ stress အာရုံစူးစိုက်မှုဧရိယာတွင် ကြီးမားသော အလှည့်ကျ ဖိအားတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်ပြီး စိတ်ဖိစီးမှု ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

3. အကဲဖြတ်ခြင်းနည်းလမ်း အေးအက်ကြောင်းများ
3.1 သံမဏိ၏အအေးအက်ကွဲမှုသဘောထားကို ကာဗွန်နှင့်ညီမျှသောနည်းလမ်း-အကဲဖြတ်ခြင်း။
ဂဟေဆော်သည့် အပူဒဏ်ခံရပ်ဝန်း၏ မာကျောမှုနှင့် အအေးအက်ကွဲမှု သဘောထားသည် သံမဏိ၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ဆက်စပ်နေသောကြောင့်၊ သံမဏိအတွင်းရှိ အအေးအက်ကြောင်းများ၏ အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို သွယ်ဝိုက်အကဲဖြတ်ရန် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုကို အသုံးပြုသည်။ သံမဏိတွင်ရှိသော အလွိုင်းဒြပ်စင်များ၏ ပါဝင်မှုကို ၎င်း၏လုပ်ဆောင်မှုအရ ကာဗွန်ပါဝင်မှု ညီမျှသောအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားသည်၊ ၎င်းသည် သံမဏိ၏ အေးခဲအက်ကွဲမှုသဘောထားကို အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် အကဲဖြတ်ရန်အတွက် ကာဗွန်နှင့်ညီမျှသောနည်းလမ်း၊ အလွိုင်းစတီးလ်၏ ကာဗွန်နှင့်ညီမျှသောနည်းလမ်းအတွက်၊ International Institute of Welding (IIW) မှ ဖော်မြူလာကို Ceq(IIW)=C+Mn/6+(Cr+Mo+V)/5+(Ni+Cu)/ ၁၅။ ဖော်မြူလာအရ၊ ကာဗွန်နှင့်ညီမျှသောတန်ဖိုးပိုကြီးလေ၊ ဂဟေဆော်ထားသောသံမဏိ၏ မာကျောနိုင်မှု ပိုများလေဖြစ်ပြီး အပူဒဏ်ခံရပ်ဝန်းတွင် အအေးအက်ကြောင်းများထွက်လာရန် လွယ်ကူလေဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ သံမဏိ၏ weldability ကို အကဲဖြတ်ရန် ကာဗွန်ညီမျှခြင်းကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး ဂဟေအက်ကွဲကြောင်းများကို ဟန့်တားရန် အကောင်းဆုံး လုပ်ငန်းစဉ်များကို weldability အရ အဆိုပြုနိုင်ပါသည်။ နိုင်ငံတကာအင်စတီကျုမှ အကြံပြုထားသော ဖော်မြူလာကို အသုံးပြုသောအခါ၊ Ceq(IIW)＜0.4% သည် မာကျောမှု သဘောထား မကောင်းမွန်ပါက၊ weldability ကောင်းမွန်ပြီး ဂဟေမဆက်မီ အပူပေးစရာမလိုပါ။ အကယ်၍ Ceq (IIW)＝0.4%～0.6% အထူးသဖြင့် 0.5% ထက်များသောအခါ သံမဏိသည် မာကျောလွယ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ ဂဟေဆက်ခံနိုင်မှုမှာ ယိုယွင်းလာပြီး ဂဟေအက်ကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ရန် ဂဟေဆော်စဉ်အတွင်း ကြိုတင်အပူပေးရန်လိုအပ်သည်။ ပန်းကန်ပြားအထူတိုးလာသည်နှင့်အမျှ ကြိုတင်အပူပေးသည့် အပူချိန်ကို တိုးမြှင့်သင့်သည်။
3.2 ဂဟေဆော်ခြင်း အေးသောအက်ကွဲ အာရုံခံနိုင်စွမ်း အညွှန်းကိန်း
ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုအပြင်၊ အလွိုင်းအားမြင့်မားသောသံမဏိဂဟေတွင် အအေးအက်ကွဲခြင်း၏အကြောင်းရင်းများတွင် သတ္တုစပ်တွင် ပျံ့နှံ့နိုင်သော ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါဝင်မှု၊ အဆစ်၏ကန့်သတ်ဖိစီးမှုစသည်ဖြင့် ပါဝင်သည်။ ဂျပန်နိုင်ငံသည် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု၊ ပျံ့နှံ့နိုင်သော ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် ကန့်သတ်ချက် (သို့မဟုတ် ပြားအထူ) ကဲ့သို့သော ဖော်မြူလာများကို အသုံးပြု၍ သံမဏိအမျိုးအစား 200 ကျော်တွင် စမ်းသပ်မှုအများအပြားကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ နှင့် အေးသောအက်ကွဲကြောင်းများကို ကာကွယ်ရန် ဂဟေမဆက်မီ လိုအပ်သော အပူပေးအပူချိန်ကို ဆုံးဖြတ်ရန် အအေးအက်ကွဲ အာရုံခံနိုင်စွမ်း အညွှန်းကိန်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။ ကာဗွန်ပါဝင်မှု 0.16% နှင့် ဆန့်နိုင်အား 400-900MPa ထက် မပိုသော အနိမ့်သတ္တုစပ် မြင့်မားသော သံမဏိအတွက် အောက်ပါဖော်မြူလာကို အသုံးပြုနိုင်သည်ဟု ယေဘုယျအားဖြင့် ယုံကြည်ကြသည်။ Pcm=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B (%);
Pc=Pcm+[H]/60+t/600 (%)
To=1440Pc-392 (℃)
နေရာ- [H]——ဂျပန် JIS 3113 စံနှုန်း (ml/100g)၊ t—ပြားအထူ (မီလီမီတာ); ဂဟေမဆက်မီ အနိမ့်ဆုံးအပူပေးသည့်အပူချိန် (℃)။
ဤအထူ၏စတီးပြား၏ ဂဟေဆော်သည့်အအေးအက်ကွဲအာရုံခံနိုင်စွမ်းအညွှန်းကိန်း Pc နှင့် မကွဲအက်မီအနိမ့်ဆုံး အပူပေးအပူချိန်ကို တွက်ချက်ပါ။ တွက်ချက်မှုရလဒ် To≥50 ℃သောအခါ၊ သံမဏိပြားသည် အချို့သော ဂဟေဆက်ခြင်း အေးသောအက်ကွဲ အာရုံခံနိုင်စွမ်းရှိပြီး ကြိုတင်အပူပေးရန်လိုအပ်သည်။

4. ကြီးမားသောအစိတ်အပိုင်းများ၏ အအေးမိကြွပ်ဆတ်ကွဲအက်ခြင်းကို ပြုပြင်ခြင်း။
သံမဏိပြားဂဟေဆက်ခြင်း ပြီးသောအခါ၊ "delamination" ဟုခေါ်သော စတီးပြား၏ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု အက်ကွဲသွားသည်။ အက်ကွဲပုံသဏ္ဍာန်အတွက် အောက်ပါပုံ 2 ကိုကြည့်ပါ။ ဂဟေကျွမ်းကျင်သူများက ပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို "သံမဏိပြားများတွင် Z-direction အက်ကွဲကြောင်းများကို ဂဟေဆက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်" အဖြစ် သတ်မှတ်ခြင်းသည် ပိုမိုသင့်လျော်သည်ဟု ယုံကြည်ကြသည်။ အစိတ်အပိုင်းသည် ကြီးမားသောကြောင့် သံမဏိပြားကို ဖယ်ရှားပြီးနောက် ၎င်းကို ထပ်မံ၍ တွဲချိတ်ရန်မှာ များစွာအလုပ်များပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုလုံး ပုံပျက်သွားဖွယ်ရှိပြီး အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုလုံးကို ဖျက်သိမ်းပစ်မည်ဖြစ်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုကြီးကြီးမားမားဖြစ်စေသည်။
၄.၁။ Z-direction အက်ကြောင်းများ၏ အကြောင်းရင်းများနှင့် ကာကွယ်မှုအစီအမံများ
ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် ဂဟေဆက်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော Z-direction အက်ကြောင်းများသည် အေးသောအက်ကွဲများဖြစ်သည်။ သံမဏိပြား၏ မာကျောမှုနှင့် အထူပိုလေ၊ Z-direction အက်ကွဲမှု ဖြစ်နိုင်ခြေ ပိုများလေဖြစ်သည်။ ယင်း၏ဖြစ်ပေါ်မှုကို မည်သို့ရှောင်ရှားရန်၊ အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းမှာ ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် ဂဟေဆက်ခြင်းမပြုမီ ကြိုတင်အပူပေးခြင်းဖြစ်ပြီး ကြိုတင်အပူပေးသည့်အပူချိန်သည် သံမဏိပြား၏ အဆင့်နှင့် အထူပေါ်တွင် မူတည်သည်။ သေနတ်များနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် crawler heating pads များကိုဖြတ်တောက်ခြင်းဖြင့် ကြိုတင်အပူပေးခြင်းကို လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး အပူမှတ်၏နောက်ဘက်တွင် လိုအပ်သောအပူချိန်ကို တိုင်းတာသင့်သည်။ (မှတ်ချက်- အပူခံရင်းမြစ်ကို ထိတွေ့သည့်နေရာတွင် အပူလွန်ကဲခြင်းကို ရှောင်ရှားရန် စတီးပြားဖြတ်တောက်ခြင်းအပိုင်းတစ်ခုလုံးကို အညီအမျှ အပူပေးသင့်သည်) အကြိုအပူပေးခြင်းသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် ဂဟေဆက်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပွားနိုင်ခြေရှိသော Z-direction အက်ကြောင်းများကို လျှော့ချနိုင်သည်။
① ပထမဦးစွာ အက်ကွဲကြောင်းကို မမြင်နိုင်မချင်း ကြိတ်ချေရန် ထောင့်ကြိတ်စက်ကို အသုံးပြုကာ ပြုပြင်ထားသော ဂဟေဆော်သည့်နေရာတစ်ဝိုက်ကို 100 ℃ ခန့် အပူပေးပြီးနောက် CO2 ဂဟေဆော်ခြင်းကို အသုံးပြုပါ (flux-cored wire သည် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်)။ ပထမအလွှာကို ဂဟေဆော်ပြီးနောက်၊ ပိုက်ကွန်တူရိုးဖြင့် ဂဟေကိုချက်ချင်းနှိပ်ပါ၊ ထို့နောက် အောက်ဖော်ပြပါအလွှာများကို ဂဟေဆော်ကာ အလွှာတစ်ခုစီပြီးနောက် သံတူဖြင့် ဂဟေကိုနှိပ်ပါ။ အတွင်းလွှာ အပူချိန် ≤ 200 ℃ ရှိကြောင်း သေချာပါစေ။
② အက်ကွဲကြောင်းနက်နေပါက ပြုပြင်ထားသော ဂဟေဆော်သည့်နေရာတစ်ဝိုက်ကို 100 ℃ခန့် အပူပေးကာ အမြစ်ကိုသန့်ရှင်းစေရန် ကာဗွန် arc air planer ကို ချက်ခြင်းအသုံးပြုကာ သတ္တုတောက်ပြောင်လာသည်အထိ ကြိတ်ရန် ထောင့်ကြိတ်စက်ကို အသုံးပြုပါ (အပူချိန်ရှိပါက၊ ပြုပြင်ထားသော ဂဟေဆက်သည် 100 ℃ ထက်နည်းသည်၊ ထပ်မံအပူပေးသည်) ပြီးနောက် ဂဟေဆက်ပါ။
③ ဂဟေဆော်ပြီးနောက်၊ အလူမီနီယမ်ဆီလီကိတ်သိုးမွှေး သို့မဟုတ် ကျောက်ဂွမ်းကို ≥2 နာရီကြာ အကာအကွယ်ပေးရန်အတွက် အသုံးပြုပါ။
④ လုံခြုံရေးအရ၊ ပြုပြင်ထားသောနေရာကို ultrasonic ချို့ယွင်းချက်ရှာဖွေခြင်းကို လုပ်ဆောင်ပါ။