ထုတ်လုပ်မှု 1000MPaCP စံနှုန်းဖြင့် အအေးခံထားသော သံမဏိ annealing cycle ကို ပြင်းထန်သောဇုန်၏ annealing အပူချိန်သို့ ပြန်လည်အပူပေးပြီး၊ ထို့နောက် အအေးခံကာ 400 isothermal deg ခန့်တွင် ထိန်းသိမ်းထားသည်။] C၊ martensite စတင်အပူချိန် (Ms) အထက်။

1. အရေးကြီးသော annealing အပူချိန်နှင့် အချိန်ကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော ferrite နှင့် ကာဗွန်ပါဝင်မှုဧရိယာ၏ ထုထည်ရာခိုင်နှုန်း။အအေးခံခြင်းနှင့် လျှပ်ကာများအတွင်း အရေးပါသော ဒေသ၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းဖြစ်သော austenite သည် bainite အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားသည်။

2. TI လုပ်ဆောင်ချက်အတွက် Austenite နှင့် bainite စတင်အပူချိန် (Bs) တွင် အချိန်နှင့် C ပါဝင်မှုကို ဆုံးဖြတ်ရန် Austenite သည် bainite ထုထည်၊ isothermal bainite အသွင်ပြောင်းသည့် အပူချိန်နှင့်၊လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အခန်းအပူချိန်သို့ အအေးခံပြီးနောက်၊ martensite ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြစ်သော်လည်း အချို့သည် austenitic အသွင်ပြောင်းမှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။

3. XPS ဖြင့် Surface 0.3% Cr နှင့် 0.5% Cr သံမဏိများကို မနှစ်မှီ။ဒါ့အပြင် နှင်းရည်ကျိုခြင်းရဲ့ အပူချိန်ကို နှိမ့်ချတဲ့ မီးဖိုမှာ နှစ်မျိုးနှစ်စားရဲ့ အကျိုးသက်ရောက်မှုတွေကို လေ့လာခဲ့ပါတယ်။

4. 304 ချောမွေ့ခြင်းမရှိသော သံမဏိအလွိုင်းဒြပ်စင်များ Si, Mn နှင့် Cr တို့သည် အောက်ဆိုဒ်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်အတွက် မျက်နှာပြင်သို့ နှင်းမှုန်နိမ့်ကျသောနေရာတွင် ခွဲခြားထားသည်။annealing အပူချိန်နှစ်ခုလုံးတွင်, တူညီသောမျက်နှာပြင်ဖွဲ့စည်းမှု။အပူချိန်ခြားနားချက်သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် သတ္တုစပ်ဒြပ်စင်များ ခွဲထွက်ခြင်းသည် သိသာထင်ရှားသော သက်ရောက်မှုမရှိပါ။

5. Cr ပါဝင်မှုသည် 0.3%, Cr ပမာဏသည် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် နည်းပါးသော်လည်း အခြားဒြပ်စင်များအပေါ် သက်ရောက်မှုမရှိပါ။Cr2p3 peak energy အခြေခံတွင် Cr သည် Cr2O3 ပုံစံဖြင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပေါ်လာသည်။